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Published in: Semiconductors 1/2016

01-01-2016 | Physics of Semiconductor Devices

Specific features of the current–voltage characteristics of SiO2/4H-SiC MIS structures with phosphorus implanted into silicon carbide

Authors: A. I. Mikhaylov, A. V. Afanasyev, V. A. Ilyin, V. V. Luchinin, T. Sledziewski, S. A. Reshanov, A. Schöner, M. Krieger

Published in: Semiconductors | Issue 1/2016

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Metadata
Title
Specific features of the current–voltage characteristics of SiO2/4H-SiC MIS structures with phosphorus implanted into silicon carbide
Authors
A. I. Mikhaylov
A. V. Afanasyev
V. A. Ilyin
V. V. Luchinin
T. Sledziewski
S. A. Reshanov
A. Schöner
M. Krieger
Publication date
01-01-2016
Publisher
Pleiades Publishing
Published in
Semiconductors / Issue 1/2016
Print ISSN: 1063-7826
Electronic ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782616010152

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