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Journal of Materials Science: Materials in Electronics

Enhancement in thermoelectric performance of Cu3SbSe4 thin films by In(III) doping; synthesized by arrested precipitation technique

  • 23.03.2018
Erschienen in:
Verfasst von
Vishvanath B. Ghanwat
Sawanta S. Mali
Chaitali S. Bagade
Kishorkumar V. Khot
Neha D. Desai
Chang Kook Hong
P. N. Bhosale
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 10/2018

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Abstract

We have successfully synthesized p-type Cu3(Sb1−xInx)Se4 thin films by solution based arrested precipitation technique and studied their thermoelectric properties for the first time. The deposited thin films were characterized for their structural, morphological, compositional and electrical transport properties. Thin films shows enhancement in figure of merit (ZT) with increasing In(III) content. The maximum ZT 0.267 obtained for Cu3(Sb0.92In0.08)Se4 thin film at 300 K.

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Titel
Enhancement in thermoelectric performance of Cu3SbSe4 thin films by In(III) doping; synthesized by arrested precipitation technique
Verfasst von
Vishvanath B. Ghanwat
Sawanta S. Mali
Chaitali S. Bagade
Kishorkumar V. Khot
Neha D. Desai
Chang Kook Hong
P. N. Bhosale
Publikationsdatum
23.03.2018
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 10/2018
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-018-8896-4
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