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01.08.2014 | Ausgabe 8/2014

Quantum Information Processing 8/2014

Estimations of phonon-induced decoherence in silicon–germanium triple quantum dots

Zeitschrift:
Quantum Information Processing > Ausgabe 8/2014
Autoren:
Alexander Yu. Vasiliev, Leonid Fedichkin

Abstract

The decoherence and dephasing rate of charge qubits in systems based on double and triple SiGe quantum dots are studied. At the short time limit, electron–phonon interaction causes an incomplete decay of the off-diagonal density matrix elements. Long-time relaxation decay dominates over dephasing at large times. The triple quantum dot system with the same interdot distance demonstrates lower relaxation rate in the wide range of parameters.

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