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01.10.2019 | Ausgabe 10/2019

Optical and Quantum Electronics 10/2019

Evaluation of optical parameters and characterization of few layer sputtered MoS2 film by spectroscopic ellipsometry

Zeitschrift:
Optical and Quantum Electronics > Ausgabe 10/2019
Autoren:
Richa Singh, Shweta Tripathi
Wichtige Hinweise

Publisher's Note

Springer Nature remains neutral with regard to jurisdictional claims in published maps and institutional affiliations.

Abstract

The study involves spectroscopic ellipsometry analysis of sputter deposited few layer MoS2 grown on three different substrates (ITO coated glass, n-silicon and p-silicon) for diverse deposition time. We have investigated optical parameters such as refractive index, extinction coefficient and dielectric constant of MoS2 layers in the visible region of electromagnetic spectrum. For such purpose of investigation we have involved Cauchy dispersion model (for the film deposited on n-silicon and p-silicon) and hybrid of Lorentz and Drude model (for the film deposited on ITO coated glass). Furthermore, comparative analysis at the diverse growth time of 5, 10, 15 and 20 min has been performed on the basis of optical parameters and surface morphology.

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