Evaluation of the DARE65T Platform: Technology Study, IP Library Development and Demonstrator ASIC Design

Dieses Kapitel vertieft die anhaltende Relevanz des 65-nm-Knotens für ASICs in Luft- und Raumfahrtqualität, wobei der Schwerpunkt auf der DARE65T-Plattform liegt. Es beschreibt die Implementierung einer umfassenden IP-Bibliothek, die einen Radiation Hardened By Design (RHBD) -Fluss aufnimmt, und die Herstellung von ASICs in kommerzieller Technologie. Die Studie umfasste die Charakterisierung und Bestrahlung von Technologiekomponenten im Rahmen von Total Ionizing Dose (TID) und Single Event Effects (SEE) zur Validierung von Schadensminderungstechniken. Mit Frontgrade Gaisler wurde ein Demonstrator-ASIC entwickelt, um die Bereitschaft der Bibliotheken und Integrationsansichten zu bestätigen. Das Kapitel behandelt auch die Kalibrierung von SETstriker, einem Simulationswerkzeug zur Identifizierung von Single Event Transient (SET) -Schwachstellen auf Zellebene. Der Text bietet Einblicke in die Leistungsfähigkeit von 65-nm-Technologie-Bauelementen unter TID, wobei der Schwerpunkt auf NMOS-, PMOS- und BJT-Transistoren, Entkoppelkondensatoren, Widerständen und Dioden liegt. Die Ergebnisse der Studie tragen zum Verständnis der Strahlungseffekte auf die Halbleitertechnologie bei und liefern wertvolle Daten für die Konstruktion und Herstellung von rad-harten Bauelementen.