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23.02.2018 | Technical Paper | Ausgabe 8/2018

Microsystem Technologies 8/2018

Experimental study of gamma radiation induced degradation of a piezoresistive pressure sensor

Zeitschrift:
Microsystem Technologies > Ausgabe 8/2018
Autoren:
Vinod Belwanshi, Sebin Philip, Anita Topkar

Abstract

This paper reports the experimental investigation of gamma radiation induced degradation of a piezoresistive pressure sensor with total dose exposure up to ~ 40 Mrad. The output response of a piezoresistive pressure sensor and the magnitude of piezoresistors constituting the Wheatstone bridge were measured at various total doses after exposure to gamma radiation using a Cobalt-60 source. The bridge piezoresistor magnitudes did not show any change after irradiation up to a total dose of 40 Mrad. However, the pressure sensor exhibited a significant degradation in the performance in terms of reduced sensitivity and linearity after the exposure to 10 Mrad. The pressure sensor demonstrated a decrease of response by about 75% beyond the gamma dose of 30 Mrad. Additionally, a small increase in the offset voltage and increased hysteresis in the pressure response were also observed.

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