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Journal of Materials Science: Materials in Electronics

Fabrication and performance of p+ layer by SiO2 nanospheres assisted liquid boron diffusion

  • 19.07.2020
Erschienen in:
Verfasst von
Junkui Zhu
Honglie Shen
Dongli Hu
Hao Gu
Kai Gao
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 17/2020

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Abstract

Borsäure gemischt mit SiO2-Nanokugeln wurde bei der Spin-on-Methode als Bor-Quelle verwendet, um die Dotierungsqualität der p + -Schicht an der Oberfläche von p-Typ-Einkristallsilizium (c-Si) -Wafern mit Pyramidenstruktur zu verbessern. Untersucht wurden die Auswirkungen von Borsäurekonzentration, Diffusionstemperatur und Diffusionszeit auf Diffusionsgleichmäßigkeit, Oberflächenlochkonzentration, Übergangstiefe und Minoritätsträgerlebensdauer. Es wurde festgestellt, dass die Zugabe von SiO2-Nanosphären in Borsäure zu einem hohen Grad an Diffusionsgleichheit von mehr als 96% führen könnte. Bei einer Borsäurekonzentration von 5 g / 100 ml und einer Diffusion von 40 min bei 940 ° C zeigte die erhaltene p + -Schicht in Siliziumwafern eine beste Gesamtleistung mit einer Oberflächenlochkonzentration von 8 x 1018 cm − 3, einer Plattenresistenz (RS) von 70,2 Ω / м, einer Übergangstiefe von 0,28 μm und einer Minoritätsträgerlebensdauer von 3,39 μs.
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Titel
Fabrication and performance of p+ layer by SiO2 nanospheres assisted liquid boron diffusion
Verfasst von
Junkui Zhu
Honglie Shen
Dongli Hu
Hao Gu
Kai Gao
Publikationsdatum
19.07.2020
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 17/2020
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-020-03989-1
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