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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 3/2011

01.03.2011

Fabrication of Metal–Oxide–Diamond Field-Effect Transistors with Submicron-Sized Gate Length on Boron-Doped (111) H-Terminated Surfaces Using Electron Beam Evaporated SiO2 and Al2O3

verfasst von: Takeyasu Saito, Kyung-ho Park, Kazuyuki Hirama, Hitoshi Umezawa, Mitsuya Satoh, Hiroshi Kawarada, Zhi-Quan Liu, Kazutaka Mitsuishi, Kazuo Furuya, Hideyo Okushi

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 3/2011

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Metadaten
Titel
Fabrication of Metal–Oxide–Diamond Field-Effect Transistors with Submicron-Sized Gate Length on Boron-Doped (111) H-Terminated Surfaces Using Electron Beam Evaporated SiO2 and Al2O3
verfasst von
Takeyasu Saito
Kyung-ho Park
Kazuyuki Hirama
Hitoshi Umezawa
Mitsuya Satoh
Hiroshi Kawarada
Zhi-Quan Liu
Kazutaka Mitsuishi
Kazuo Furuya
Hideyo Okushi
Publikationsdatum
01.03.2011
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 3/2011
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-010-1500-1

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