Fabrication of NO2 Gas Sensor Based on α-In2Se3 Thin Films Grown Using PLD Technique

Der Artikel befasst sich mit der Herstellung eines hochselektiven NO2-Gassensors, der mittels Pulsed Laser Deposition (PLD) aus α-In2Se3-Dünnschichten hergestellt wird. Die Leistung des Sensors wird bei unterschiedlichen Temperaturen und NO2-Konzentrationen bewertet und zeigt hervorragende Reaktions- und Erholzeiten. Die Studie unterstreicht das Potenzial von In2Se3 für die Gaserfassung aufgrund seines hohen Oberflächen-Volumen-Verhältnisses und seiner günstigen elektronischen Eigenschaften. Experimentelle Ergebnisse deuten darauf hin, dass der Sensor bei niedrigeren Temperaturen effizient arbeitet als herkömmliche Materialien, was ihn zu einem vielversprechenden Kandidaten für Umweltüberwachung und industrielle Anwendungen macht. Die Arbeit vergleicht auch die Leistung des α-In2Se3-Sensors mit anderen 2D-Materialien und Halbleitern der Gruppe III-VI und demonstriert so seine Wettbewerbsvorteile.