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Journal of Polymer Research
Erschienen in: Journal of Polymer Research 5/2009

01.09.2009

Fabrication of Schottky diode based on Zn electrode and polyaniline doped with 2-acrylamido-2-methyl-1-propanesulfonic acid sodium salt

verfasst von: Shaker Mabrouk Ebrahim

Erschienen in: Journal of Polymer Research | Ausgabe 5/2009

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Abstract

The electrical properties, including current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristics, of ITO/polyaniline/Al and ITO/polyaniline/Zn Schottky diodes have been investigated. Polyaniline (PANI) was prepared chemically and doped with 2-acrylamido-2-methyl-1-propanesulfonic acid sodium salt (AMPSNa). The maximum conductivity value for PANI-AMPSNa films was 1.8 × 10−2 S/cm at 0.5 weight ratio of AMPSNa. The values of various junction parameters such as ideality factor, barrier height and charge carrier concentration were calculated based on the thermionic emission theory. Zn electrode showed better rectifying behavior with PANI-AMPSNa film than Al electrode. The obtained C-V characteristics showed that the charge carrier concentration is in the range of 1016/cm3.
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Metadaten
Titel
Fabrication of Schottky diode based on Zn electrode and polyaniline doped with 2-acrylamido-2-methyl-1-propanesulfonic acid sodium salt
verfasst von
Shaker Mabrouk Ebrahim
Publikationsdatum
01.09.2009
Verlag
Springer Netherlands
Erschienen in
Journal of Polymer Research / Ausgabe 5/2009
Print ISSN: 1022-9760
Elektronische ISSN: 1572-8935
DOI
https://doi.org/10.1007/s10965-008-9251-x

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