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01.03.2014 | Ausgabe 3/2014

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 3/2014

Fabrication, physiochemical and optoelectronic characterization of SiO2/CdS core–shell nanostructures

Zeitschrift:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics > Ausgabe 3/2014
Autoren:
Chidambaram Siva, Raju Ramya, Pari Baraneedharan, Kasi Nehru, Muthusamy Sivakumar

Abstract

Silica/CdS core–shell nanostructures have been developed using a simple wet chemical route. This method utilizes silica spheres formation followed by successive ionic layer adsorption and reaction method assisted CdS shell layer formation. The morphological studies revealed the uniformity in size distribution with core size of 250 nm and shell thickness of 9 nm. The electron microscopic images also indicate the irregular morphology of CdS shell layer. The structural studies indicate the simple cubic system of CdS shell with no other trace for impurities in the crystal structure. This CdS layer exhibit the band gap energy of 2.66 eV, due to weak quantum confinement and numerous defects presence. The studies on room temperature photoluminescence measurement indicate the emission properties and the corresponding electronic energy levels of defect states. Further, the physiochemical understanding of core–shell formation mechanism clearly matches with the motive behind the defects present in the CdS shell layer.

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