Zum Inhalt

Facile synthesis of naphthalene diimide (NDI) derivatives: aggregation-induced emission, photophysical and transport properties

  • 01.02.2020
Erschienen in:

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …

Abstract

Naphthalendiimid (NDI) -Derivate wurden mittels eines einfachen Syntheseprozesses synthetisiert und umfassend auf ihre photophysikalischen, thermisch aktivierten Leitfähigkeits- und Elektronentransporteigenschaften untersucht. Vier verschiedene Substituenten bei Imid-Stickstoff, d.h. 2,6 Diisopropylphenyl (iPrP-NDI), Diphenylmethylen (DPM-NDI), 2-Nitrophenyl (NO2P-NDI) und Pentafluorophenyl (PFP-NDI) wurden auf ihre Wirkung auf Selbstmontage, photophysikalische und elektronische Eigenschaften untersucht. Die elektrochemische Analyse wurde durchgeführt, um ihre Redoxeigenschaften und die Berechnung von HOMO und LUMO-Energieniveaus zu beurteilen. Diese NDI-Derivate wurden hinsichtlich ihres Aggregationsverhaltens und ihrer Aggregationsinduzierten Emission (AIE) als SCP − n-Derivkopie in frischer und gealterter Lösungen in unterschiedlicher Polarität unter Verwendung von NDI-4-starken NDI-Materialien untersucht.

Sie sind noch kein Kunde? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Lizenzmodelle:

Einzelzugang

Starten Sie jetzt Ihren persönlichen Einzelzugang. Erhalten Sie sofortigen Zugriff auf mehr als 170.000 Bücher und 540 Zeitschriften - pdf-Downloads und Neu-Erscheinungen inklusive.

Jetzt ab 54,00 € pro Monat!                                        

Mehr erfahren

Zugang für Unternehmen

Nutzen Sie Springer Professional in Ihrem Unternehmen und geben Sie Ihren Mitarbeitern fundiertes Fachwissen an die Hand. Fordern Sie jetzt Informationen für Firmenzugänge an.

Erleben Sie, wie Springer Professional Sie in Ihrer Arbeit unterstützt!

Beraten lassen
Titel
Facile synthesis of naphthalene diimide (NDI) derivatives: aggregation-induced emission, photophysical and transport properties
Verfasst von
Neelam Kumari
Samya Naqvi
Mehak Ahuja
Komal Bhardwaj
Rachana Kumar
Publikationsdatum
01.02.2020
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 5/2020
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-020-02986-8
Dieser Inhalt ist nur sichtbar, wenn du eingeloggt bist und die entsprechende Berechtigung hast.
Dieser Inhalt ist nur sichtbar, wenn du eingeloggt bist und die entsprechende Berechtigung hast.