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2015 | OriginalPaper | Buchkapitel

6. Feldeffekttransistoren

verfasst von : Leonhard Stiny

Erschienen in: Aktive elektronische Bauelemente

Verlag: Springer Fachmedien Wiesbaden

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Zusammenfassung

Bei Bipolartransistoren (BJT) findet der gesteuerte Stromfluss über jeweils zwei Sperrschichten statt, an der Wirkungsweise des Transistors sind Elektronen und Löcher, also Ladungsträger beider Polarität, beteiligt.
Auch der Feldeffekttransistor (FET \(=\) Field-Effect-Transistor) ist ein Halbleiterbauelement. Feldeffekttransistoren haben aber nur eine einzige interne Sperrschicht. Beim FET trägt zur Steuerung und zum Stromtransport je nach Bauart nur eine Sorte von Ladungsträgern bei, Elektronen oder Löcher. Daher werden FETs auch als Unipolartransistoren (unijunction transistor, UJT) bezeichnet.
FET haben wie Bipolartransistoren drei Anschlüsse. Diese werden wie folgt bezeichnet:
  • Source (S), dies ist die Quelle oder Quellenelektrode, entspricht beim BJT dem Emitter
  • Drain (D), dies ist die Senke oder Senkenelektrode, entspricht beim BJT dem Kollektor
  • Gate (G), dies ist die Steuerelektrode, entspricht beim BJT der Basis.

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Fußnoten
1
Man beachte die grundlegend verschiedene Definition des Wortes „Sättigungsbereich“ beim Bipolartransistor und beim FET. Im Sättigungsbereich des bipolaren Transistors tritt eine Sättigung von Ladungsträgern auf, da die Kollektor-Emitter-Spannung nicht groß genug ist, um die in die Basis-Kollektor-Grenzschicht diffundierenden Ladungsträger abzusaugen. Beim FET nimmt im Sättigungsbereich der Drainstrom einen fast konstanten, gesättigten Wert an.
 
2
Chemical Vapor Deposition\(=\) chemische Gasphasenabscheidung.
 
3
In Abschn. 6.11.6 wird das Schaltverhalten von Leistungs-MOSFETs im Vergleich mit IGBTs betrachtet.
 
4
Die Bezeichnung DMOSFET wird hier vermieden, um eine Verwechslung mit Depletion MOSFET (Verarmungstyp) zu vermeiden.
 
Metadaten
Titel
Feldeffekttransistoren
verfasst von
Leonhard Stiny
Copyright-Jahr
2015
Buch
Aktive elektronische Bauelemente

Print ISBN: 978-3-658-09152-1

Electronic ISBN: 978-3-658-09153-8

Copyright-Jahr: 2015

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-658-09153-8_6

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