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Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 24/2017

01.09.2017

Ferro- and piezoelectric properties of intergrowth Bi4Ti3O12–BaBi4Ti4O15 thin film

verfasst von: J. Yan, G. D. Hu

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 24/2017

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Abstract

Bi4Ti3O12–BaBi4Ti4O15 (BT–BBTi) thin film was deposited on Pt (111)/Ti/SiO2/Si substrate using the sol–gel method. Both BT–BBTi film and the powder sample derived from the same coating solution were demonstrated to possess an intergrowth structure according to X-ray diffraction patterns. The remanent polarization for BT–BBTi thin film was as large as 20 μC/cm2, which is about 30% higher than that of BBTi (∼15 μC/cm2) along a axis. The predicted P r value for uniformly crystallized a-axis-oriented BT–BBTi film should be larger than 40 μC/cm2 according to the piezoelectric measurements using an atomic force microscope in the piezoresponse mode. The BT–BBTi film exhibited good fatigue resistance after 109 switching cycles.

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Metadaten
Titel
Ferro- and piezoelectric properties of intergrowth Bi4Ti3O12–BaBi4Ti4O15 thin film
verfasst von
J. Yan
G. D. Hu
Publikationsdatum
01.09.2017
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 24/2017
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-017-7840-3

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