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01.08.2016 | Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures | Ausgabe 8/2016

Semiconductors 8/2016

Formation of donors in germanium–silicon alloys implanted with hydrogen ions with different energies

Zeitschrift:
Semiconductors > Ausgabe 8/2016
Autoren:
Yu. M. Pokotilo, A. N. Petukh, V. V. Litvinov, V. P. Markevich, N. V. Abrosimov, A. S. Kamyshan, A. V. Giro, K. A. Solyanikova

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