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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 7/2020

01.07.2020 | SEMICONDUCTOR STRUCTURES, LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS, AND QUANTUM PHENOMENA

Formation of GaN Nanorods in Monodisperse Spherical Mesoporous Silica Particles

verfasst von: E. Yu. Stovpiaga, D. A. Kurdyukov, D. A. Kirilenko, V. G. Golubev

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 7/2020

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Abstract

Gallium-nitride nanorods with a diameter of 15–40 nm and length of 50–150 nm are synthesized in monodisperse spherical mesoporous silica particles (MSMSPs) by high-temperature annealing of the Ga2O3 precursor in ammonia. The template material (a-SiO2) is selectively removed by etching the composite MSMSP/GaN particles with HF to give individual GaN nanorods. It is shown that the size of the GaN nanorods substantially exceeds the pore size of the MSMSPs (diameter ~3 nm, length ~10 nm). A possible mechanism by which GaN nanorods are formed is proposed. Redistribution of the material within the composite MSMSP/GaN particles possibly occurs via the surface diffusion of gaseous molecules within mesopores and via the diffusion of Ga and N atoms in a-SiO2.
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Metadaten
Titel
Formation of GaN Nanorods in Monodisperse Spherical Mesoporous Silica Particles
verfasst von
E. Yu. Stovpiaga
D. A. Kurdyukov
D. A. Kirilenko
V. G. Golubev
Publikationsdatum
01.07.2020
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 7/2020
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S106378262007012X

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