Formation of Spontaneous Lateral Heterostructures in High Al content AlxGa1−xN Alloys Grown by High-Temperature Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy

Der Artikel untersucht die Komplexität der AlxGa1 − xN-Filme mit hohem Al-Gehalt, die mittels Hochtemperatur-Plasma-unterstützter Molekularstrahl-Epitaxie (PA-MBE) erzeugt werden. Es werden die Vorteile und Herausforderungen eines Hochtemperaturwachstums diskutiert, darunter eine verbesserte Mobilität der Oberfläche und thermodynamische Stabilität, aber auch zunehmende Schwierigkeiten bei der Kontrolle von Verunreinigungen. Die Studie konzentriert sich auf die Mikrostruktur von Proben, die bei unterschiedlichen Temperaturen gezüchtet wurden. Dabei wurden kompositorisch homogene Filme bei 800 ° C und selbstmontierte seitliche Kontrastmodulationen bei 900-950 ° C entdeckt. Diese Ergebnisse sind bedeutsam, da sie die erste Beobachtung spontaner, vertikal orientierter kompositorischer Anomalien in hochtemperiertem PA-MBE-AlxGa1 − xN zeigen, die die Strahlungseffizienz des Materials steigern können. Der Artikel unterstreicht die Notwendigkeit weiterer Forschung in diesem Wachstumsregime, um die Eigenschaften des Materials für verschiedene Anwendungen in der Optoelektronik und Halbleiterindustrie zu optimieren.