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Erschienen in:
Introduction to 3D Microelectronic Packaging Kapitel lesen Erstes Kapitel lesen

2021 | OriginalPaper | Buchkapitel

12. Fundamentals of Electromigration in Interconnects of 3D Packaging

verfasst von : Pilin Liu

Erschienen in: 3D Microelectronic Packaging

Verlag: Springer Singapore

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Abstract

Micro bumps, through Si vias (TSV), and redistribution layers (RDL) or back-end-of-line (BEOL) layers that connected to the TSV are unique interconnects connecting the stacked Si dies in 3D packaging. Electromigration (EM) failure has been a concern for these interconnects due to high current density and joule heating. In this chapter, the key EM failure modes in these interconnects are summarized. By leveraging the EM learning from flip chip first level interconnect solder joints and damascene Cu interconnects, failure mechanisms and factors that modulate the EM of micro bumps, TSV and its connected Cu layers are also summarized. The impact of the unique micro bump dimensions and structures on EM will be highlighted.

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Metadaten
Titel
Fundamentals of Electromigration in Interconnects of 3D Packaging
verfasst von
Pilin Liu
Copyright-Jahr
2021
Verlag
Springer Singapore
Buch
3D Microelectronic Packaging

Print ISBN: 978-981-15-7089-6

Electronic ISBN: 978-981-15-7090-2

Copyright-Jahr: 2021

DOI
https://doi.org/10.1007/978-981-15-7090-2_12

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