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Optical and Quantum Electronics
Erschienen in: Optical and Quantum Electronics 6/2015

01.06.2015

GaN-based bipolar cascade light-emitting diode with 250 % peak quantum efficiency

verfasst von: Joachim Piprek

Erschienen in: Optical and Quantum Electronics | Ausgabe 6/2015

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Abstract

GaN-based light-emitting diodes (LEDs) exhibit a severe efficiency droop with increasing current density. This paper analyses a new approach to circumvent the droop problem by inserting tunnel junctions into the multi-quantum well (MQW) active region, resulting in carrier recycling, a more uniform MQW carrier distribution, and less carrier loss. Self-consistent numerical simulations of such bipolar-cascade LED with four stages predict a quantum efficiency of 250 % at low power and still more than 100 % at high power, despite additional light absorption at the tunnel junctions.
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Metadaten
Titel
GaN-based bipolar cascade light-emitting diode with 250 % peak quantum efficiency
verfasst von
Joachim Piprek
Publikationsdatum
01.06.2015
Verlag
Springer US
Erschienen in
Optical and Quantum Electronics / Ausgabe 6/2015
Print ISSN: 0306-8919
Elektronische ISSN: 1572-817X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11082-014-0043-8

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