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01.09.2018 | PHYSICS OF SEMICONDUCTOR DEVICES | Ausgabe 9/2018

Semiconductors 9/2018

GaSb/GaAlAsSb Heterostructure Photodiodes for the Near-IR Spectral Range

Zeitschrift:
Semiconductors > Ausgabe 9/2018
Autoren:
E. V. Kunitsyna, I. A. Andreev, G. G. Konovalov, E. V. Ivanov, A. A. Pivovarova, N. D. Il’inskaya, Yu. P. Yakovlev
Wichtige Hinweise
Translated by M. Tagirdzhanov

Abstract

GaSb/GaAlAsSb uncooled photodiodes for the 1.1–1.85 μm spectral range are fabricated and studied. A unique method for the growth of GaSb from lead solution-melts makes it possible to obtain a low carrier concentration in the active region: n = 2 × 1015 cm–3. The capacitance of the photodiodes is 70–110 pF for a sensitive -area diameter of 300 μm and 150–250 pF for a diameter of 500 μm. The photodiodes are characterized by a high (for GaSb devices) spectral sensitivity Sλ = 0.95 A/W at the maximum, a relatively low reverse dark current density j = (4–9) × 10–3 A/cm2 at Urev = 1.0–2.0 V, and high-speed performance (response time 5–10 ns).

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