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01.01.2015 | XVIII Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhni Novgorod, March 10–14, 2014 | Ausgabe 1/2015

Semiconductors 1/2015

Ge/GeSn heterostructures grown on Si (100) by molecular-beam epitaxy

Zeitschrift:
Semiconductors > Ausgabe 1/2015
Autoren:
Yu. G. Sadofyev, V. P. Martovitsky, M. A. Bazalevsky, A. V. Klekovkin, D. V. Averyanov, I. S. Vasil’evskii

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