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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 10/2020

29.07.2020

Geometries and Electronic Properties of Black Phosphorus/MoS2 Heterostructure with P Atom Vacancies: First Principles Calculations

verfasst von: Yujie Liao, Zongyu Huang, Yanbing Wu, Huating Liu, Lin Xue, Chaoyu He, Xiang Qi, Jianxin Zhong

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 10/2020

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Metadaten
Titel
Geometries and Electronic Properties of Black Phosphorus/MoS2 Heterostructure with P Atom Vacancies: First Principles Calculations
verfasst von
Yujie Liao
Zongyu Huang
Yanbing Wu
Huating Liu
Lin Xue
Chaoyu He
Xiang Qi
Jianxin Zhong
Publikationsdatum
29.07.2020
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 10/2020
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-020-08335-z

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