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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 8/2020

22.05.2020

Growth and Characterization of SiGe on c-Plane Sapphire Using a Chemical Vapor Deposition System

verfasst von: Abbas Sabbar, Joshua M. Grant, Perry C. Grant, Wei Dou, Bader Alharthi, Baohua Li, Fatma Yurtsever, Seyed Amir Ghetmiri, Mansour Mortazavi, Hameed A. Naseem, Shui-Qing Yu, Aboozar Mosleh, Zhong Chen

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 8/2020

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Metadaten
Titel
Growth and Characterization of SiGe on c-Plane Sapphire Using a Chemical Vapor Deposition System
verfasst von
Abbas Sabbar
Joshua M. Grant
Perry C. Grant
Wei Dou
Bader Alharthi
Baohua Li
Fatma Yurtsever
Seyed Amir Ghetmiri
Mansour Mortazavi
Hameed A. Naseem
Shui-Qing Yu
Aboozar Mosleh
Zhong Chen
Publikationsdatum
22.05.2020
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 8/2020
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-020-08169-9

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