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Journal of Materials Science: Materials in Electronics

Growth and transport properties of AgInS2 ternary semiconductor

  • 16.03.2022
Erschienen in:
Verfasst von
M. Mobarak
M. M. Nassary
Fatma Gami
Massaud Mostafa
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 13/2022

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Abstract

Der Artikel befasst sich mit den Wachstums- und Transporteigenschaften des ternären Halbleiters AgInS2, einem Material, das für verschiedene optoelektronische Anwendungen von erheblichem Interesse ist. Die Studie nutzt die vertikale Bridgman-Stockbarger-Methode, um qualitativ hochwertige AgInS2-Einkristalle zu züchten, die anschließend mittels Röntgenbeugung und energiedispersiver Röntgenfluoreszenzspektrometrie charakterisiert werden. Die Forschung konzentriert sich auf die elektrische Leitfähigkeit, den Hall-Effekt und die thermoelektrische Leistung der Kristalle als Funktion der Temperatur und enthüllt faszinierende Einsichten in das Verhalten des Materials. Die Ergebnisse unterstreichen das Potenzial von AgInS2 in Anwendungen wie Solarzellen und Photovoltaik-Geräten und machen es zu einem vielversprechenden Funktionsmaterial in der Halbleiterindustrie.
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Titel
Growth and transport properties of AgInS2 ternary semiconductor
Verfasst von
M. Mobarak
M. M. Nassary
Fatma Gami
Massaud Mostafa
Publikationsdatum
16.03.2022
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 13/2022
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-022-08016-z
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