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01.01.2016 | Surfaces, Interfaces, and Thin Films | Ausgabe 1/2016

Semiconductors 1/2016

Growth, structure, and properties of GaAs-based (GaAs)1–xy (Ge2) x (ZnSe) y epitaxial films

Zeitschrift:
Semiconductors > Ausgabe 1/2016
Autoren:
S. Z. Zaynabidinov, A. S. Saidov, A. Yu. Leiderman, M. U. Kalanov, Sh. N. Usmonov, V. M. Rustamova, A. Y. Boboev

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