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Erschienen in:
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2021 | OriginalPaper | Buchkapitel

7. Grundschaltungen

verfasst von : Massoud Momeni

Erschienen in: Grundlagen der Mikroelektronik 1

Verlag: Springer Berlin Heidelberg

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Zusammenfassung

Mit dem Wissen zum Groß- und Kleinsignalverhalten, zum linearen Verstärkerbetrieb und zur Kleinsignalmodellierung werden im Folgenden die Transistorgrundschaltungen vorgestellt. Die drei möglichen Grundschaltungen mit Bipolartransistoren werden Emitter-, Basis- und Kollektorschaltung genannt. Entsprechend spricht man beim Feldeffekttransistor von der Source-, Gate- und Drain-Schaltung. Für jede dieser Grundschaltungen und ihre Erweiterungen werden die Verstärkung, der Eingangswiderstand und der Ausgangswiderstand berechnet und verglichen. Komplexe Verstärkerschaltungen lassen sich auf einfachere Grundschaltungen zurückführen, sodass die Ergebnisse dieses Kapitels die Grundlage für deren Analyse und Entwurf bilden und daher nicht nur verstanden, sondern auch verinnerlicht werden sollten.

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Fußnoten
1
Engl. diode-connected transistor.
 
2
Im Folgenden wird gelegentlich die englische Abkürzung der Verstärkerstufen verwendet.
 
3
Engl. trade-off.
 
4
Alternativ kann beobachtet werden, dass der Strom durch \(r_\pi \) gegeben ist durch \(v_{be}/r_\pi \), sodass sich \(v_e\) aus dem Spannungsabfall an \(R_B\) und \(r_\pi \) ergibt, \(v_e = -\left( v_{be}/r_\pi \right) \left( R_B + r_\pi \right) \).
 
5
Der Emitterwiderstand \(R_E\) in Gl. (7.132) entspricht nicht dem Widerstand \(R_3\) in Abb. 7.51. Bei der Bestimmung von \(\tilde{R}_{in}\) wird die Schaltung nach Abb. 7.49 betrachtet.
 
6
Engl. buffer bzw. wegen der Spannungsverstärkung von etwa 1 auch als unity-gain voltage buffer bezeichnet.
 
7
Engl. current mirror.
 
Metadaten
Titel
Grundschaltungen
verfasst von
Massoud Momeni
Copyright-Jahr
2021
Verlag
Springer Berlin Heidelberg
Buch
Grundlagen der Mikroelektronik 1

Print ISBN: 978-3-662-62031-1

Electronic ISBN: 978-3-662-62032-8

Copyright-Jahr: 2021

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-662-62032-8_7

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