Infineon baut Fertigung für Leistungshalbleiter aus

Infineon baut weitere Fertigungskapazitäten im Bereich der Verbindungshalbleiter auf Basis von Siliziumkarbid und Galliumnitrid auf. Das Unternehmen investiert in eine neue Frontend-Fertigung in Malaysia.

Infineon stärkt seine Position im Bereich Leistungshalbleiter und investiert mehr als 2 Mrd. Euro in eine neue Frontend-Fertigung am Standort Kulim (Malaysia). "Mit dem Ausbau der SiC- und GaN-Kapazitäten bereitet sich Infineon auf das beschleunigte Wachstum des Markts für Verbindungshalbleiter vor. Wir schaffen eine gewinnbringende Kombination mit dem Entwicklungs-Kompetenzzentrum Villach und der kosteneffizienten Produktion von SiC- und GaN-Leistungshalbleitern in Kulim", so Jochen Hanebeck, Mitglied des Vorstands und Chief Operations Officer von Infineon.

Die Expansion folgt der langfristigen Fertigungsstrategie des Unternehmens und wird von Skaleneffekten profitieren, die bereits mit der 200-mm-Fertigung in Kulim erreicht wurden. Die Bauarbeiten für die dritte Fertigungslinie in Kulim beginnen im Sommer 2022 und sollen im Sommer 2024 beendet sein. Die neue Fabrik schafft bei voller Auslastung 900 neue Arbeitsplätze. Die ersten gefertigten Wafer sollen die Fertigung im zweiten Halbjahr 2024 verlassen.