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2012 | OriginalPaper | Buchkapitel

3. Halbleiterbauelemente

verfasst von : Josef Lutz

Erschienen in: Halbleiter-Leistungsbauelemente

Verlag: Springer Berlin Heidelberg

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Zusammenfassung

Bei der pin-Diode steht das „i“ für intrinsisch. Intrinsische Dotierungen (Dotierung im Bereich < 1010 cm 3) lassen sich technologisch jedoch nicht erreichen, sodass man in der Praxis eine schwache p – oder n- – Dotierung erhalten wird. Diese ist gegenüber denen in den Außenzonen um mehrere Größenordnungen niedriger (n-, p), weswegen sich dennoch die Bezeichnung „i“ eingebürgert hat. Heute werden nur Mittelgebiete vom n- Typ realisiert, was hauptsächlich auf das Ausschaltverhalten der damit realisierten Dioden zurückzuführen ist. Das sog. „i“-Gebiet ist in Wirklichkeit meist ein n- – Gebiet.

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Fußnoten
1
Strenggenommen muss zwischen dem Gleichstromverstärkungsfaktor \(A={{I}_{C}}/{{I}_{E}}\) und dem Kleinsignalverstärkungsfaktor \( \alpha ={\Delta {{I}_{C}}}/{\Delta {{I}_{E}}} \) unterschieden werden. Dasselbe gilt für β. Dies ist in dieser vereinfachten Behandlung vernachlässigt.
 
Metadaten
Titel
Halbleiterbauelemente
verfasst von
Josef Lutz
Copyright-Jahr
2012
Verlag
Springer Berlin Heidelberg
DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-642-29796-0_3

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