6. Herstellung dreidimensionaler Strukturen in Silizium

Das Kapitel behandelt die Herstellung dreidimensionaler Strukturen in Silizium, wobei verschiedene Ätzverfahren und deren Anwendungen in der Mikrosystemtechnik detailliert beschrieben werden. Es wird auf die Unterschiede zwischen isotropem und anisotropem Ätzen eingegangen und die spezifischen Eigenschaften und Anforderungen an die Ätzlösungen erläutert. Isotropes Ätzen zeichnet sich durch eine gleichmäßige Ätzgeschwindigkeit in allen Richtungen aus, während anisotropes Ätzen eine richtungsabhängige Ätzgeschwindigkeit aufweist. Besonders hervorgehoben werden die Ätzmechanismen und deren Abhängigkeiten von den Kristallorientierungen und Dotierungen. Die Anwendung von KOH-H2O-Ätzlösungen und deren Eigenschaften werden detailliert beschrieben, ebenso wie der BOSCH-Prozess, der eine hochpräzise Strukturierung von Silizium ermöglicht. Die Zusammenhänge zwischen Ätzrate und Dotierungsdichte sowie die Verwendung von Passivierungsschichten werden ebenfalls thematisiert. Der Fachtext bietet einen umfassenden Überblick über die technologischen Möglichkeiten und Herausforderungen bei der dreidimensionalen Strukturierung von Silizium.