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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 5/2018

06.03.2018

Hetero-Material Gate Doping-Less Tunnel FET and Its Misalignment Effects on Analog/RF Parameters

verfasst von: Sunny Anand, R. K. Sarin

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 5/2018

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Metadaten
Titel
Hetero-Material Gate Doping-Less Tunnel FET and Its Misalignment Effects on Analog/RF Parameters
verfasst von
Sunny Anand
R. K. Sarin
Publikationsdatum
06.03.2018
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 5/2018
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-018-6174-0

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