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Journal of Materials Science: Materials in Electronics

High dielectric response of TaOX thin film and its modification by controlling oxygen vacancy concentration

  • 01.04.2023
Erschienen in:
Verfasst von
Qingfeng Cai
Jianwen Chen
Si Liu
Guo Niu
Shaopeng Zhou
Xiucai Wang
Wenbo Zhu
Xinmei Yu
Peng Xiao
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 11/2023

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Abstract

Der Artikel untersucht die hohe dielektrische Reaktion von TaOX-Dünnschichten und ihre Modifikation durch Kontrolle der Sauerstoffleerkonzentration. Es unterstreicht das Potenzial von TaOX als Ersatz für SiO2 in Stromverbrauchsgeräten und bietet Vorteile wie höhere Betriebstemperaturen, elektrische Felder und geringere Verluste. Die Studie berücksichtigt systematisch die erforderlichen Eigenschaften der Gate-Dielektrik und untersucht die Auswirkungen von Sauerstoffleerständen auf die dielektrischen Eigenschaften von TaOX-Folien. Durch Magnetron-Sputtern gelang es den Autoren, TaOX-Dünnschichten mit unterschiedlichem Sauerstoffgehalt herzustellen, wodurch dielektrische Konstanten bis 2919,5 erreicht wurden. Die Ergebnisse zeigen, dass die Dielektrizitätskonstante durch die Steuerung des Sauerstoffflusses effektiv reguliert werden kann, was TaOX zu einem vielversprechenden Material für leistungsstarke Leistungsgeräte macht.
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Diese Zusammenfassung des Fachinhalts wurde mit Hilfe von KI generiert.

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Titel
High dielectric response of TaOX thin film and its modification by controlling oxygen vacancy concentration
Verfasst von
Qingfeng Cai
Jianwen Chen
Si Liu
Guo Niu
Shaopeng Zhou
Xiucai Wang
Wenbo Zhu
Xinmei Yu
Peng Xiao
Publikationsdatum
01.04.2023
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 11/2023
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-023-10419-5
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