Skip to main content
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 1/2017

24.08.2016

High quality InP epilayers grown on GaAs substrates using metamorphic AlGaInAs buffers by metalorganic chemical vapor deposition

verfasst von: Yurun Sun, Jianrong Dong, Shuzhen Yu, Yongming Zhao, Yang He

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 1/2017

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …

Abstract

Using compositionally step graded metamorphic AlGaInAs buffers with a thickness of 2.4 μm, we grow InP epilayers on GaAs substrates with miscuts of 2°, 7°, and 15° toward (111)A by metalorganic chemical vapor deposition. The InP top layer is almost strain-free and its quality depends on the substrate miscut. Strong phase separation in AlGaInAs buffers is observed in the 2° sample, while it is suppressed in 15° sample. Finally, a higher crystalline quality InP epilayer with a root-mean-square roughness of 10.1 nm is obtained on 15° substrate as confirmed by a much stronger photoluminescence peak intensity of the InP epilayer on 15° substrate compared with those on 2° and 7° substrates. Growth of high quality InP on GaAs opens up the possibility of integrating GaAs and InP based devices, and will greatly enhance the functionality of devices grown on GaAs substrates.

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 340 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Versicherung + Risiko




Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Literatur
1.
Zurück zum Zitat N. Hayafuji, T. Kimura, N. Yoshida, N. Kaneno, M. Tsugami, K. Mizuguchi, T. Murotani, S. Ibuki, Jpn. J. Appl. Phys. 28, L1721 (1989)CrossRef N. Hayafuji, T. Kimura, N. Yoshida, N. Kaneno, M. Tsugami, K. Mizuguchi, T. Murotani, S. Ibuki, Jpn. J. Appl. Phys. 28, L1721 (1989)CrossRef
2.
Zurück zum Zitat C.I. Liao, K.F. Yarn, C.L. Lin, Y.L. Lin, Y.H. Wang, Jpn. J. Appl. Phys. 42, 4913 (2003)CrossRef C.I. Liao, K.F. Yarn, C.L. Lin, Y.L. Lin, Y.H. Wang, Jpn. J. Appl. Phys. 42, 4913 (2003)CrossRef
3.
Zurück zum Zitat P.A. Postigo, F. Suárez, A. Sanz-Hervás, J. Sangrador, C.G. Fonstad, J. Appl. Phys. 103, 013508 (2008)CrossRef P.A. Postigo, F. Suárez, A. Sanz-Hervás, J. Sangrador, C.G. Fonstad, J. Appl. Phys. 103, 013508 (2008)CrossRef
4.
Zurück zum Zitat Y.R. Sun, K.L. Li, J.R. Dong, X.L. Zeng, Y.M. Zhao, S.Z. Yu, C.Y. Zhao, H. Yang, J. Cryst. Growth 381, 70 (2013)CrossRef Y.R. Sun, K.L. Li, J.R. Dong, X.L. Zeng, Y.M. Zhao, S.Z. Yu, C.Y. Zhao, H. Yang, J. Cryst. Growth 381, 70 (2013)CrossRef
5.
Zurück zum Zitat H. Choi, Y. Jeong, J. Cho, M.H. Jeon, J. Cryst. Growth 311, 1091 (2009)CrossRef H. Choi, Y. Jeong, J. Cho, M.H. Jeon, J. Cryst. Growth 311, 1091 (2009)CrossRef
6.
7.
Zurück zum Zitat L. Yang, M.T. Bulsara, K.E. Lee, E.A. Fitzgerald, J. Cryst. Growth 324, 103 (2011)CrossRef L. Yang, M.T. Bulsara, K.E. Lee, E.A. Fitzgerald, J. Cryst. Growth 324, 103 (2011)CrossRef
8.
Zurück zum Zitat H.Q. Nguyen, E.Y. Chang, H.W. Yu, K.L. Lin, C.C. Chung, Appl. Phys. Express 4, 075501 (2011)CrossRef H.Q. Nguyen, E.Y. Chang, H.W. Yu, K.L. Lin, C.C. Chung, Appl. Phys. Express 4, 075501 (2011)CrossRef
9.
Zurück zum Zitat R.S. Goldman, H.H. Wieder, K.L. Kavanagh, Appl. Phys. Lett. 67, 344 (1995)CrossRef R.S. Goldman, H.H. Wieder, K.L. Kavanagh, Appl. Phys. Lett. 67, 344 (1995)CrossRef
11.
Zurück zum Zitat M.J. Matragrano, D.G. Ast, J.R. Shealy, V. Krishnamoorthy, J. Appl. Phys. 79, 8371 (1996)CrossRef M.J. Matragrano, D.G. Ast, J.R. Shealy, V. Krishnamoorthy, J. Appl. Phys. 79, 8371 (1996)CrossRef
12.
Zurück zum Zitat R.S. Goldman, K.L. Kavanagh, H.H. Wieder, S.N. Ehrlich, R.M. Feenstra, J. Appl. Phys. 83, 5137 (1998)CrossRef R.S. Goldman, K.L. Kavanagh, H.H. Wieder, S.N. Ehrlich, R.M. Feenstra, J. Appl. Phys. 83, 5137 (1998)CrossRef
13.
Zurück zum Zitat H. Chen, Y.K. Li, C.S. Peng, H.F. Liu, Y.L. Liu, Q. Huang, J.M. Zhou, Q.-K. Xue, Phys. Rev. B 65, 233303 (2002)CrossRef H. Chen, Y.K. Li, C.S. Peng, H.F. Liu, Y.L. Liu, Q. Huang, J.M. Zhou, Q.-K. Xue, Phys. Rev. B 65, 233303 (2002)CrossRef
14.
15.
16.
Zurück zum Zitat S.N.G. Chu, S. Nakahara, K.E. Strege, J.W.D. Johnston, J. Appl. Phys. 57, 4610 (1985)CrossRef S.N.G. Chu, S. Nakahara, K.E. Strege, J.W.D. Johnston, J. Appl. Phys. 57, 4610 (1985)CrossRef
17.
18.
Zurück zum Zitat Z. Zhang, S. Yang, F. Zhang, D. Li, Y. Chen, Z. Wang, J. Cryst. Growth 243, 71 (2002)CrossRef Z. Zhang, S. Yang, F. Zhang, D. Li, Y. Chen, Z. Wang, J. Cryst. Growth 243, 71 (2002)CrossRef
Metadaten
Titel
High quality InP epilayers grown on GaAs substrates using metamorphic AlGaInAs buffers by metalorganic chemical vapor deposition
verfasst von
Yurun Sun
Jianrong Dong
Shuzhen Yu
Yongming Zhao
Yang He
Publikationsdatum
24.08.2016
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 1/2017
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-016-5585-z

Weitere Artikel der Ausgabe 1/2017

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 1/2017 Zur Ausgabe

Neuer Inhalt