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01.10.2011 | Abbaschian Festschrift | Ausgabe 19/2011

Journal of Materials Science 19/2011

High temperature phase equilibrium of SiC-based ceramic systems: SiC–Si3N4–R2O3 (R = Gd, Y) systems

Zeitschrift:
Journal of Materials Science > Ausgabe 19/2011
Autoren:
W. Z. Sun, Y. H. Chen, L. E. Wu, Y. J. Lu, Y. Jiang, Z. K. Huang

Abstract

The phase relations of the ternary systems SiC–Si3N4–R2O3 (R = Gd and Y) have been investigated by XRD phase analyses of the hot-pressed samples from SiC, Si3N4, and R2O3 powders. Their subsolidus phase diagrams were presented. In situ SiO2 impurity in the powders always led to form some oxygen-richer rare-earth siliconoxynitrides and extend the ternary systems to the quaternary systems of SiC–Si3N4–SiO2–R2O3 (R = Gd, Y). Within these systems all rare-earth siliconoxynitrides coexist with SiC. The phase diagrams of the quaternary systems of SiC–Si3N4–SiO2–R2O3 (R = Gd, Y) were established, in which the subsolidus diagram of Si3N4–SiO2–Gd2O3 system was first reported.

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