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Wireless Personal Communications
Erschienen in: Wireless Personal Communications 3/2018

15.09.2018

Highly Linear High-Frequency Low-Noise Amplifier Design at ISM Band

verfasst von: Farhad Bahadori-Jahromi, Seyyed Jafar Zareian-Jahromi

Erschienen in: Wireless Personal Communications | Ausgabe 3/2018

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Abstract

A highly linear high-frequency low-noise amplifier is one of the important components in telecommunication receivers. The purpose of making such amplifiers is to amplify received signal from transmitter (antenna) at an acceptable level. A narrow band highly linear low-noise amplifier was studied and designed in this paper. A BFP720 bipolar transistor from Infineon Company associated with ADS software was used. Low-noise amplifier was initially designed and simulated and its results were obtained. Lumped elements of inductor and capacitor were used in the design of input and output matching network of this circuit, and two amplifier circuits were then designed and some techniques and methods proposed to improve its performance.
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Metadaten
Titel
Highly Linear High-Frequency Low-Noise Amplifier Design at ISM Band
verfasst von
Farhad Bahadori-Jahromi
Seyyed Jafar Zareian-Jahromi
Publikationsdatum
15.09.2018
Verlag
Springer US
Erschienen in
Wireless Personal Communications / Ausgabe 3/2018
Print ISSN: 0929-6212
Elektronische ISSN: 1572-834X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11277-018-5954-4

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