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15.09.2018 | Ausgabe 3/2018

Wireless Personal Communications 3/2018

Highly Linear High-Frequency Low-Noise Amplifier Design at ISM Band

Zeitschrift:
Wireless Personal Communications > Ausgabe 3/2018
Autoren:
Farhad Bahadori-Jahromi, Seyyed Jafar Zareian-Jahromi
Wichtige Hinweise

Publisher's Note

Springer Nature remains neutral with regard to jurisdictional claims in published maps and institutional affiliations.

Abstract

A highly linear high-frequency low-noise amplifier is one of the important components in telecommunication receivers. The purpose of making such amplifiers is to amplify received signal from transmitter (antenna) at an acceptable level. A narrow band highly linear low-noise amplifier was studied and designed in this paper. A BFP720 bipolar transistor from Infineon Company associated with ADS software was used. Low-noise amplifier was initially designed and simulated and its results were obtained. Lumped elements of inductor and capacitor were used in the design of input and output matching network of this circuit, and two amplifier circuits were then designed and some techniques and methods proposed to improve its performance.

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