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08.05.2019 | Ausgabe 12/2019

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 12/2019

Hole/electron transport layers in tin-doped SBLN nano materials for hybrid solar cell applications

Zeitschrift:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics > Ausgabe 12/2019
Autoren:
Anurag Pritam, Vaibhav Shrivastava
Wichtige Hinweise

Electronic supplementary material

The online version of this article (https://​doi.​org/​10.​1007/​s10854-019-01447-1) contains supplementary material, which is available to authorized users.

Publisher's Note

Springer Nature remains neutral with regard to jurisdictional claims in published maps and institutional affiliations.

Abstract

In this work, layered perovskite SBN was investigated in a new-doped form for hole as well as electron transport layer (HTL/ETL) in perovskite solar cells. This work was targeted to determine utility of bismuth layer SBN materials as an active layer in hybrid perovskite solar cells. Thoroughly hard ball-milled compositions Sr1−xSnxBi1.95La0.05Nb2O9 (x = 0.0, 0.01, 0.03, 0.05, 0.1 and 0.2) were prepared by microwave synthesis to obtain fine (~ 10–60 nm) mesoporous particle network of atomic level substitutions. Microwave synthesis was crucial in modifying dielectric, semiconducting and optical characteristics of prepared SBN materials. The optical energy band gap and hall resistivity decreased in continuous manner on tin doping. The role of metallic tin as dopant in sharpening redox peaks and decreasing capacitive reactance of grain boundaries was investigated in detail using cyclic voltammetry and impedance spectroscopy respectively. The tin being more polar covalent than strontium augmented dielectric response too.

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Literatur
Über diesen Artikel

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