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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 9/2016

13.04.2016

Hole Transport in Arsenic-Doped Hg1−x Cd x Te with x ≥ 0.5

verfasst von: G. A. Umana-Membreno, H. Kala, S. Bains, N. D. Akhavan, J. Antoszewski, C. D. Maxey, L. Faraone

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 9/2016

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Metadaten
Titel
Hole Transport in Arsenic-Doped Hg1−x Cd x Te with x ≥ 0.5
verfasst von
G. A. Umana-Membreno
H. Kala
S. Bains
N. D. Akhavan
J. Antoszewski
C. D. Maxey
L. Faraone
Publikationsdatum
13.04.2016
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 9/2016
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-016-4474-9

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