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01.06.2015 | Physics of Semiconductor Devices | Ausgabe 6/2015

Semiconductors 6/2015

Hopping transport in the space-charge region of p-n structures with InGaN/GaN QWs as a source of excess 1/f noise and efficiency droop in LEDs

Zeitschrift:
Semiconductors > Ausgabe 6/2015
Autoren:
N. I. Bochkareva, A. M. Ivanov, A. V. Klochkov, V. S. Kogotkov, Yu. T. Rebane, M. V. Virko, Y. G. Shreter

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