2007 | OriginalPaper | Buchkapitel
Hopping Transport of Electrons via Si-Dot
verfasst von : H. Watanabe
Erschienen in: Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2007
Verlag: Springer Vienna
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We clarify the mechanism of single electron hopping and demonstrate single electron ocsillation via Si-dot, using a high-presice general-puprpuse device-simulator.