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Journal of Computational Electronics
Erschienen in: Journal of Computational Electronics 3/2018

15.06.2018

HSPICE model and circuit simulation for a single-event effect caused by ions at different incident positions

verfasst von: Tengyue Yi, Yi Liu, Zhenyu Wu, Chen Shen, Yintang Yang

Erschienen in: Journal of Computational Electronics | Ausgabe 3/2018

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Abstract

A 3D model of the negative-channel metal-oxide semiconductor (NMOS) structure in a 65-nm complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) inverter was built based on technology computer-aided design (TCAD) three-dimensional (3D) device simulation software. The single-event effect caused by a heavy ion at different incident positions was simulated and analyzed using the TCAD–HSPICE mixed-mode simulation. Then, an analytical model was established to describe the relationship between the incident position of the ion and the charge collected by the NMOS drain. Finally, an HSPICE simulation approach based on this model was developed and verified by simulations.
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Metadaten
Titel
HSPICE model and circuit simulation for a single-event effect caused by ions at different incident positions
verfasst von
Tengyue Yi
Yi Liu
Zhenyu Wu
Chen Shen
Yintang Yang
Publikationsdatum
15.06.2018
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Computational Electronics / Ausgabe 3/2018
Print ISSN: 1569-8025
Elektronische ISSN: 1572-8137
DOI
https://doi.org/10.1007/s10825-018-1201-1

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