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01.10.2019 | MICROCRYSTALLINE, NANOCRYSTALLINE, POROUS, AND COMPOSITE SEMICONDUCTORS | Ausgabe 10/2019

Semiconductors 10/2019

Impact of the Percolation Effect on the Temperature Dependences of the Capacitance–Voltage Characteristics of Heterostructures Based on Composite Layers of Silicon and Gold Nanoparticles

Zeitschrift:
Semiconductors > Ausgabe 10/2019
Autoren:
M. M. Sobolev, D. A. Yavsin, S. A. Gurevich
Wichtige Hinweise
Translated by N. Korovin

Abstract

The temperature dependences of the capacitance–voltage characteristics and deep-level spectra of a Au–n-Si:Au–Si–p-Si heterostructure based on a composite layer of Au and Si nanoparticles are investigated. The structure manifests the properties of a transistor connected to a circuit with a common emitter with a disconnected base and an emitter Schottky barrier between the Au point contact and the n–(Si:Au) layer. Nanoparticles in this layer form finite clusters with hopping conductivity; herewith, charge accumulation is observed in the region of the Au point contact. The system at a measurement temperature below 180 K transitions from the finite-cluster phase to the infinite-cluster phase due to the percolation effect. This phase manifests metallic properties in the lateral plane of the heterostructure, which transforms into a pn diode.

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