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09.03.2016 | Ausgabe 7/2016

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 7/2016

Improved leakage and ferroelectric properties of Sr doped BiFe0.95Mn0.05O3 thin films

Zeitschrift:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics > Ausgabe 7/2016
Autoren:
Suhua Fan, Xiaobin Xie, Fengqing Zhang, Xiaodong Guo, Shiju Yang, Liping Zhang

Abstract

The Bi1−xSrxFe0.95Mn0.05O3 (x = 0, 1, 2, and 3 %) thin films were successfully fabricated on indium tin oxide (ITO)/glass substrate using sol–gel process, spin coating and layer by layer technique. The XRD indicated that the orientation of Sr doped BiFe0.95Mn0.05O3 (BFM) thin films is sensitive to the Sr doped content. Leakage current density and P–E hysteresis loop demonstrate that x = 2 % is the best Sr doped content for BFM thin films, of which the remnant polarization is 90.6 µC/cm2 with a coercive field of 309 kV/cm at measured electric field value of 800 kV/cm, the leakage current density is 4.2 × 10−7 A/cm2 at applied electric field of 350 kV/cm, and the current conduction mechanisms are Ohmic conduction and space charge limited conduction.

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