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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 7/2017

20.12.2016

Improved thermal and optical properties of Al-doped Sn2Se3 phase change material

verfasst von: Haipeng You, Yifeng Hu, Xiaoqin Zhu, Hua Zou

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 7/2017

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Abstract

Al-doped Sn2Se3 phase change material has higher crystallization temperature and lower conductivity than Ge2Sb2Te5 material. A series of optical constants of Al-doped Sn2Se3 materials are measured by spectroscopic ellipsometry measurement. The energy band gap is broadened after Al doping and the grain size becomes smaller. The optical reflectivity is reduced while the reflectivity contrast is enhanced. The phase transition speed between the amorphous and crystalline states is investigated by the picosecond laser pulses. A fast phase change speed is observed for Al-doped Sn2Se3 material.
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Metadaten
Titel
Improved thermal and optical properties of Al-doped Sn2Se3 phase change material
verfasst von
Haipeng You
Yifeng Hu
Xiaoqin Zhu
Hua Zou
Publikationsdatum
20.12.2016
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 7/2017
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-016-6221-7

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