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Erschienen in:
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1984 | OriginalPaper | Buchkapitel

Improvements in the Routine Depth Profiling of Doping Elements

verfasst von : R. v. Criegern, I. Weitzel, J. Fottner

Erschienen in: Secondary Ion Mass Spectrometry SIMS IV

Verlag: Springer Berlin Heidelberg

Enthalten in: Professional Book Archive

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In the SIMS depth profiling of doping elements, crater-edge and surrounding influences may still limit the dynamic range [1] , despite the impressing progress that has been achieved in the past [2,3] . In addition, profile deviations may sometimes be caused by residual contamination spots in the crater area.

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Metadaten
Titel
Improvements in the Routine Depth Profiling of Doping Elements
verfasst von
R. v. Criegern
I. Weitzel
J. Fottner
Copyright-Jahr
1984
Verlag
Springer Berlin Heidelberg
Buch
Secondary Ion Mass Spectrometry SIMS IV

Print ISBN: 978-3-642-82258-2

Electronic ISBN: 978-3-642-82256-8

Copyright-Jahr: 1984

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-642-82256-8_82

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