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01.04.2013 | Ausgabe 4/2013

Metallurgical and Materials Transactions A 4/2013

In situ Evidence of Defect Cluster Absorption by Grain Boundaries in Kr Ion Irradiated Nanocrystalline Ni

Zeitschrift:
Metallurgical and Materials Transactions A > Ausgabe 4/2013
Autoren:
C. Sun, M. Song, K. Y. Yu, Y. Chen, M. Kirk, M. Li, H. Wang, X. Zhang
Wichtige Hinweise

Electronic supplementary material

The online version of this article (doi:10.​1007/​s11661-013-1635-9) contains supplementary material, which is available to authorized users.
Manuscript submitted April 9, 2012.
Significant microstructural damage, in the form of defect clusters, typically occurs in metals subjected to heavy ion irradiation. High angle grain boundaries (GBs) have long been postulated as sinks for defect clusters, like dislocation loops. Here, we provide direct evidence, via in situ Kr ion irradiation within a transmission electron microscope, that high angle GBs in nanocrystalline (NC) Ni, with an average grain size of ~55 nm, can effectively absorb irradiation-induced dislocation loops and segments. These high angle GBs significantly reduce the density and size of irradiation-induced defect clusters in NC Ni compared to their bulk counterparts, and thus NC Ni achieves significant enhancement of irradiation tolerance.

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Zusatzmaterial
Video #1: Absorption of an individual dislocation loop by the GB. The dislocation loop is rapidly absorbed by the GB. Loops far away from GBs can recombine with the opposite type of defect clusters, be absorbed by free surface, or aggregate to form a larger cluster (WMV 2770 kb)
Video #2: Absorption of dislocation segment by the GB. The combination of dislocation loops in NC Ni, followed by their gradual absorption by adjacent GBs (WMV 3684 kb)
Literatur
Über diesen Artikel

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