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01.08.2014 | Ausgabe 8/2014

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 8/2014

Indium rich InGaN solar cells grown by MOCVD

Zeitschrift:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics > Ausgabe 8/2014
Autoren:
H. Çakmak, Engin Arslan, M. Rudziński, P. Demirel, H. E. Unalan, W. Strupiński, R. Turan, M. Öztürk, E. Özbay

Abstract

This study focuses on both epitaxial growths of InxGa1−xN epilayers with graded In content, and the performance of solar cells structures grown on sapphire substrate by using metal organic chemical vapor deposition. The high resolution X-ray and Hall Effect characterization were carried out after epitaxial InGaN solar cell structures growth. The In content of the graded InGaN layer was calculated from the X-ray reciprocal space mapping measurements. Indium contents of the graded InGaN epilayers change from 8.8 to 7.1 % in Sample A, 15.7–7.1 % in Sample B, and 26.6–15.1 % in Sample C. The current voltage measurements of the solar cell devices were carried out after a standard micro fabrication procedure. Sample B exhibits better performance with a short-circuit current density of 6 mA/cm2, open-circuit voltage of 0.25 V, fill factor of 39.13 %, and the best efficiency measured under a standard solar simulator with one-sun air mass 1.5 global light sources (100 mW/cm2) at room temperature for finished devices was 0.66 %.

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