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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 5/2019

18.01.2019

Influence of Doping and Splitting of Source in a Group IV Material Based Tunnel Field Effect Transistor

verfasst von: Rikmantra Basu, Preeti Giri, Harshvardhan Kumar

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 5/2019

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Metadaten
Titel
Influence of Doping and Splitting of Source in a Group IV Material Based Tunnel Field Effect Transistor
verfasst von
Rikmantra Basu
Preeti Giri
Harshvardhan Kumar
Publikationsdatum
18.01.2019
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 5/2019
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-019-06923-2

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