30.03.2021 | Original Research Article
Influence of HfAlOx in DC, RF and Microwave Noise Performance of Dual-Channel Single-Gate InAs MOSHEMT
Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 6/2021
EinloggenAktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.
Wählen Sie Textabschnitte aus um mit Künstlicher Intelligenz passenden Patente zu finden. powered by
Markieren Sie Textabschnitte, um KI-gestützt weitere passende Inhalte zu finden. powered by