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01.02.2013 | IX International Conference “Silicon-2012”, St. Petersburg, July 9–13, 2012 | Ausgabe 2/2013

Semiconductors 2/2013

Influence of metal impurities on recombination activity of dislocations in multicrystalline silicon

Zeitschrift:
Semiconductors > Ausgabe 2/2013
Autoren:
O. V. Feklisova, X. Yu, D. Yang, E. V. Yakimov

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