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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 2/2013

01.02.2013 | IX International Conference “Silicon-2012”, St. Petersburg, July 9–13, 2012

Influence of metal impurities on recombination activity of dislocations in multicrystalline silicon

verfasst von: O. V. Feklisova, X. Yu, D. Yang, E. V. Yakimov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 2/2013

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Metadaten
Titel
Influence of metal impurities on recombination activity of dislocations in multicrystalline silicon
verfasst von
O. V. Feklisova
X. Yu
D. Yang
E. V. Yakimov
Publikationsdatum
01.02.2013
Verlag
SP MAIK Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 2/2013
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782613020097

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