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01.12.2016 | XX International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 14–18, 2016 | Ausgabe 12/2016

Semiconductors 12/2016

Influence of surface roughness on a change in the growth mode from two-dimensional to three-dimensional for strained SiGe heterostructures

Zeitschrift:
Semiconductors > Ausgabe 12/2016
Autoren:
A. V. Novikov, M. V. Shaleev, D. V. Yurasov, P. A. Yunin

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