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Erschienen in: Semiconductors 12/2016

01.12.2016 | XX International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 14–18, 2016

Influence of surface roughness on a change in the growth mode from two-dimensional to three-dimensional for strained SiGe heterostructures

verfasst von: A. V. Novikov, M. V. Shaleev, D. V. Yurasov, P. A. Yunin

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 12/2016

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Metadaten
Titel
Influence of surface roughness on a change in the growth mode from two-dimensional to three-dimensional for strained SiGe heterostructures
verfasst von
A. V. Novikov
M. V. Shaleev
D. V. Yurasov
P. A. Yunin
Publikationsdatum
01.12.2016
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 12/2016
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782616120137

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