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01.02.2017 | Surfaces, Interfaces, and Thin Films | Ausgabe 2/2017

Semiconductors 2/2017

Influence of the doping type and level on the morphology of porous Si formed by galvanic etching

Zeitschrift:
Semiconductors > Ausgabe 2/2017
Autoren:
O. V. Pyatilova, S. A. Gavrilov, Yu. I. Shilyaeva, A. A. Pavlov, Yu. P. Shaman, A. A. Dudin

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